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MMBT3906LT1XT图片

图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

MMBT3906LT1XT 

产品描述

Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

内部编号

173-MMBT3906LT1XT

生产厂商

infineon technologies

infineon

#1

 数量:8840
1+¥1.094
10+¥0.9915
100+¥0.3487
1000+¥0.2325
3000+¥0.1778
9000+¥0.1573
24000+¥0.1368
45000+¥0.1231
99000+¥0.1026
最小起订量:1
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MMBT3906LT1XT产品详细规格

规格书 MMBT3906LT1XT datasheet 规格书
包装 3SOT-23
类型 PNP
引脚数 3
最大集电极发射极电压 40 V
集电极最大直流电流 0.2 A
最小直流电流增益 60@100uA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V
最大工作频率 250(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.25@1mA@10mA|0.4@5mA@50mA V
工作温度 -65 to 150 °C
最大功率耗散 330 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
工厂包装数量 3000
集电极 - 发射极饱和电压 0.4 V
晶体管极性 PNP
最低工作温度 - 65 C
品牌 Infineon Technologies
封装/外壳 SOT-23-3
增益带宽产品fT 250 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 40 V
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
封装 Reel
集电极 - 基极电压VCBO 40 V
安装风格 SMD/SMT
Pd - Power Dissipation 330 mW
零件号别名 3906 LT1 MMBT MMBT3906LT1HTSA1 SP000011678
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 200 mA

MMBT3906LT1XT系列产品

型号厂家产品描述
MMBT3906LT1 ON Semiconductor Transistors Bipolar - BJT 200mA 40V PNP
MMBT3906LT1G on semiconductor Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
MMBT3906LT1G rochester electronics SS SOT23 GP XSTR
MMBT3906LT1HTSA1 Infineon Technologies AG Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
MMBT3906LT3 ON Semiconductor Transistors Bipolar - BJT 200mA 40V PNP
MMBT3906LT3G on semiconductor Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
MMBT3906 fairchild semiconductor Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
MMBT3906 rochester electronics TRANS GP BJT PNP 40V 0.2A 3SOT-23
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